Шведские и испанские ученые создали транзисторы, сплетенные из модифицированных волокон шелка

Электрохимический транзистор на основе шелковых нитей с истоком (S), стоком (D), и входящим электродом (G).

Олле Инганас и его коллеги из университета Линчепинг и биомедицинского центра (Швеция) и Центра электрохимических технологий (Испания), исследуют последний случай. В последние 6 лет, группа Инганаса показала, как создать шелковые волокна с помощью тутового шелкопряда Bombyx Мори в полупроводниках, опуская их в дисперсию из проводящего полимера. Сейчас они продемонстрировали, что такие полупроводниковые шелковые волокна могут быть вплетены в электрохимический транзистор – устройство, использующее ионную жидкость или электролит для изменения электропроводности, как примеси, используемые в обычных полупроводниках.

Для создания шелкового транзистора, исследователи пересекли два шелковых волокна, которые перед этим были смочены в полимере, известном как PEDOT-S, и затем добавили каплю электролита. Прилагая разность потенциалов к концам одного волокна, которое играет роль входящих электродов, они могли контролировать ток, проходящий вдоль другого волокна, чьи концы выступают в качестве электродов сток и исток. Похожая функция выполняется обычными транзисторами.

Результаты исследований опубликованы в статье:

Christian Müller, Mahiar Hamedi, Roger Karlsson, Ronnie Jansson, Rebeca Marcilla, My Hedhammar, Olle Inganäs Woven Electrochemical Transistors on Silk Fibers. – Advanced Materials. – published online: 20 DEC 2010; DOI: 10.1002/adma.201003601.