Двумерные листы молибденита могут делать то, на что не способны кремний и графен

Разработчики во главе с Андрасом Кисом (Andras Kis) в Федеральной Политехнической школе Лозанны (EPFL) уже сделали высокопроизводительные транзисторы из такого "двумерного" молибденита.

Группа Андраса Киса стачивала кристалл молибденита слой за слоем, пока не получила лист толщиной в один атом. Затем разработчики нанесли молибденит на подложку, добавили слой изоляционного материала и использовали стандартный литографический способ, чтобы сделать транзистор. Нечто подобное уже делали другие исследователи, но успеха они не добились.

Молибденитовые транзисторы за счет необычайно малой толщины решетки обладают пропускными свойствами, аналогичными графену, что позволяет сократить потери тока в сто тысяч раз по сравнению с обычными транзисторами.

"Этот двумерный материал доступен для использования в области нанотехнологий, – говорит Кис. – Он может применяться при изготовлении миниатюрных транзисторов, светодиодов и солнечных батарей. В 0,65-нанометровом листе молибденита электроны могут перемещаться так же легко, как и в 2-нанометровом листе кремния".

По ряду характеристик молибденит уступает графену, но его преимущество – в доступности, так как молибденит распространен в природе и его стоимость ниже.